简介
GloryEX为芯片设计提供Signoff精度的高性能RC寄生参数提取解决方案。支持先进工艺节点的物理效应建模，面向先进工艺的超高精度3D求解器，支持16/14/12/10/7nm节点 以及更先进节点FinFET及其他复杂特殊结构。首创精确与快速统一建模技术和超大规模二维特征快速模式匹配技术，无缝融合3D和2.5D工艺定义和提取，提供Transistor-Level和Gate-Level一站式参数提取，支持不同精度选择和不同设计用户的签核需求。 GloryEX内置的3D场求解器可作为最高精度的参考工具或提供给用户最准确的计算结果，具有自主先进的Tech File，并兼容现有常用Tech File。
优势
支持SoC、ASIC、Memory、Custom、AMS等设计
最高精度模式的3D提取、快速高精度的2.5D提取
支持先进工艺下BEOL、MEOL和FEOL的高精度提取
支持对复杂几何图形和工艺效应的工艺建模，支持14/7nm及更先进工艺器件结构和寄生参数建模开发
可供晶圆代工厂基于各种特殊结构进行高精度的3D FinFET建模
三维立体器件结构显示界面，供开发人员查看建模工艺数据以及立体结构，精确表征导体和电介质参数
多核并行处理、分区域划分、层次化提取等技术，支持大型设计全芯片规模参数快速提取
支持大规模、高性能的Transistor-Level和Gate-Level提取
支持关键路径3D高精度电容求解和IP库高精度特征化，支持网表压缩，缩短后仿真时间
图示
